當半導(dǎo)體內(nèi)沒有能帶彎曲時所加的柵壓，此時表面勢為零,凈空間電荷為零，但由于...當半導(dǎo)體內(nèi)沒有能帶彎曲時所加的柵壓，此時表面勢為零,凈空間電荷為零，但由于功函數(shù)差和氧化層內(nèi)可能存在的陷阱電荷，此時穿過氧化物的電壓不一定為零。
主要在恒流負載的驅(qū)動下，假設(shè)電流比較大，階躍速度比較快。此時由于二極管尚未...主要在恒流負載的驅(qū)動下，假設(shè)電流比較大，階躍速度比較快。此時由于二極管尚未完全導(dǎo)通，導(dǎo)致阻抗較高，因此會引起比較高的正向壓降，在做大電流，快速階躍的應(yīng)用...
單片機是由微處理器、存儲器、輸入輸出接口、定時計數(shù)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等多種...單片機是由微處理器、存儲器、輸入輸出接口、定時計數(shù)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等多種功能模塊組成的微型計算機系統(tǒng)。它的核心部分是微處理器，它可以執(zhí)行各種指令，進行...
剩余電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關(guān)設(shè)備，當電氣線路和電氣...剩余電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關(guān)設(shè)備，當電氣線路和電氣設(shè)備發(fā)生單相接地故障時，利用這個剩余電流來動作切斷故障線路和電氣設(shè)備電源的保護...
當驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd...當驅(qū)動開通脈沖加到MOSFET的G極和S極，等效于給輸入電容Ciss充電(由于Cgs>>Cgd，主要是為Cgs充電)，由于輸入電容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，這也是限制MOS...
通常用一個電容和一個二極管，電容存儲電壓，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時...通常用一個電容和一個二極管，電容存儲電壓，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。
