MOSFET的閾值電壓： 對于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓...MOSFET的閾值電壓： 對于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過以下公式計算： Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅...襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值電壓。
USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點...USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點是成本最低，缺點是，沒有鋰電池充電控制邏輯，和鋰電池指示燈。
1，PW4053，輸入5V，升壓輸出12.6V的三節(jié)鋰電池充電管理芯片，1A； 2，PW4203...1，PW4053，輸入5V，升壓輸出12.6V的三節(jié)鋰電池充電管理芯片，1A； 2，PW4203，輸入15V-20V，降壓輸出12.6V的三節(jié)鋰電池充電電流芯片，2A。 鋰電池如是可拆卸和...
橋式整流電路（全波橋式整流電路），是一種將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電子電路。這...橋式整流電路（全波橋式整流電路），是一種將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電子電路。這種電路能夠?qū)⑤斎氲慕涣麟妷褐械恼摻惶孀兓碾娏鞫嫁D(zhuǎn)換為單向的直流電流，因而得...
RC電路的時間常數(shù)：τ=RC 式中，τ為RC充放電時間常數(shù)，單位是S；R為電阻，單...RC電路的時間常數(shù)：τ=RC 式中，τ為RC充放電時間常數(shù)，單位是S；R為電阻，單位是Ω；C為電容，單位是F。 V0 為電容初始電壓值； V1 為電容充滿電壓值； Vt 為...
