??溝道調制效應是指?MOS晶體管中，當柵下溝道預夾斷后，若繼續(xù)增大漏源電壓...??溝道調制效應是指?MOS晶體管中，當柵下溝道預夾斷后，若繼續(xù)增大漏源電壓（Vds），夾斷點會略向源極方向移動，導致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小，有效...
靜電保護器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓撲制成具有特定...靜電保護器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓撲制成具有特定功能的多路或單路 ESD 保護器件。ESD反向并聯(lián)于電路中，當電路正常工作時，ESD處于截...
硬件原理圖的英文縮寫-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能夠工作。要用...硬件原理圖的英文縮寫-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能夠工作。要用的時候，就打開EN腳，不用的時候就關閉。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看規(guī)格...
制作反極性保護電路的正確方法是使用簡單的PMOS或NMOS。建議使用PMOS，因為PMO...制作反極性保護電路的正確方法是使用簡單的PMOS或NMOS。建議使用PMOS，因為PMOS會切斷正軌，電路不會獲得任何電壓，如果電路在高直流電壓下工作，則產生有害后果的...
KIA830H場效應管可以替代irf830,5n50型號應用在HD安定器、適配器、充電器和SMP...KIA830H場效應管可以替代irf830,5n50型號應用在HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中；KIA830H性能出色，漏源電壓500V，漏極電流5A，開啟狀態(tài)下的電阻為1.0Ω...
柵極（Gate,G）：控制MOSFET導通或截止的引腳。在NMOS中，當柵極電壓高于源極電...柵極（Gate,G）：控制MOSFET導通或截止的引腳。在NMOS中，當柵極電壓高于源極電壓一定閾值（Vth）時，MOSFET開始導通；在PMOS中，則是當柵極電壓低于源極電壓一定...
