P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊...P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過(guò)襯底短接會(huì)影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無(wú)鉛和綠...RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語(yǔ)中的原意...鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，“clamper”在 英語(yǔ)中的原意是“夾具”的意思，很形象地說(shuō)明了它可以把波形任意鉗夾在某個(gè)電平處。
近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因...近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開(kāi)關(guān)頻率、高開(kāi)關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力...
①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝...①插入式封裝：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92； ②表面貼裝式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；
超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場(chǎng)建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過(guò)...超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場(chǎng)建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過(guò)程中，N型漂移層兩側(cè)的空間電荷區(qū)邊界會(huì)向中心移動(dòng)，如圖2所示，隨著VDS電壓的升高，...
