當(dāng)NMOS晶體管接收到不可忽略的電壓時(shí)，它會(huì)形成閉合電路，這意味著從源極端子到...當(dāng)NMOS晶體管接收到不可忽略的電壓時(shí)，它會(huì)形成閉合電路，這意味著從源極端子到漏極的連接就像電線一樣。因此電流從柵極流向源極。類似地，當(dāng)該晶體管接收到約0V的...
PWM調(diào)速通過(guò)快速地打開(kāi)和關(guān)閉電源電壓，調(diào)整 ON/OFF 脈沖的長(zhǎng)度，將電壓設(shè)置在...PWM調(diào)速通過(guò)快速地打開(kāi)和關(guān)閉電源電壓，調(diào)整 ON/OFF 脈沖的長(zhǎng)度，將電壓設(shè)置在0V和最大電壓之間的任意位置，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)節(jié)。
P1 P2為充電輸入接口，QP1（內(nèi)置限流電阻）為充電檢測(cè)管，當(dāng)插入外接適配器時(shí)，...P1 P2為充電輸入接口，QP1（內(nèi)置限流電阻）為充電檢測(cè)管，當(dāng)插入外接適配器時(shí)，QP1的集電極將單片機(jī)的6腳拉到地，單片機(jī)即檢測(cè)到有外接適配器接入，接著，單片機(jī)的...
假設(shè)NMOS管Q2的Vgs值為2.5V，那么NMOS管Q2的源極輸出電壓為12V-2.5=9.5V左右，...假設(shè)NMOS管Q2的Vgs值為2.5V，那么NMOS管Q2的源極輸出電壓為12V-2.5=9.5V左右，這個(gè)時(shí)候B+這邊的電壓發(fā)生一定范圍的跳動(dòng)也是沒(méi)關(guān)系的，NMOS管Q2的輸出不會(huì)受影響。...
當(dāng)右側(cè)開(kāi)關(guān)直接接地，3.3V變?yōu)?V時(shí)，模擬輸入一個(gè)低電平，此時(shí)MOS管Q1的漏極電...當(dāng)右側(cè)開(kāi)關(guān)直接接地，3.3V變?yōu)?V時(shí)，模擬輸入一個(gè)低電平，此時(shí)MOS管Q1的漏極電壓為0V,由于MOS管的體二極管原因，左側(cè)1.8V電，經(jīng)過(guò)電阻R1,MOS管的體二極管，流入GN...
射頻信號(hào)(RF)由3腳輸入，經(jīng)過(guò)前置放大器、末級(jí)功率放大器放大后由10、11腳輸出...射頻信號(hào)(RF)由3腳輸入，經(jīng)過(guò)前置放大器、末級(jí)功率放大器放大后由10、11腳輸出。3腳與內(nèi)部放大器直接耦合，其外加一個(gè)隔直耦合電容，3腳輸入阻抗為50Ω，但確切的...
