搭單個(gè)管子的電路，DC掃描柵極輸入電壓，得到電流值，用matlab處理得到擬合線(xiàn)性...搭單個(gè)管子的電路，DC掃描柵極輸入電壓，得到電流值，用matlab處理得到擬合線(xiàn)性曲線(xiàn)，根據(jù)斜率和截距，計(jì)算unCox、upCox和Vtn、Vtp。
電流、電壓、電阻、功率等參數(shù)間有以下?lián)Q算關(guān)系。 功率=電流*電壓 功率=電壓...電流、電壓、電阻、功率等參數(shù)間有以下?lián)Q算關(guān)系。 功率=電流*電壓 功率=電壓*電流 電流=電壓/電阻 功率：符號(hào)P單位W； 電壓：符號(hào)U單位V； 電阻：符號(hào)R單位...
電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想的電流源IS和一個(gè)電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)...電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想的電流源IS和一個(gè)電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想電壓源US和一個(gè)電阻RS的串聯(lián)。即轉(zhuǎn)換公式：Us = Rs*Is。
mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是...mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。改善辦法：降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的...
對(duì)于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對(duì)于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成...對(duì)于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對(duì)于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成了二者電流方向的必然不同。
負(fù)載電阻失配與晶體管尺寸失配對(duì)失調(diào)電壓的影響隨著靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓增大而...負(fù)載電阻失配與晶體管尺寸失配對(duì)失調(diào)電壓的影響隨著靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓增大而增大；閾值電壓失配直接折合到輸入。
