半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設計方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即...對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導通后都存在導通內(nèi)阻，當電流流過之后就會產(chǎn)生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導通后都存在導通內(nèi)阻，當電流流過之后就會產(chǎn)生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產(chǎn)生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流，從而在門極驅(qū)動電阻和寄生...
通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減...通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的上升產(chǎn)生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產(chǎn)生位移電流( igd)。
