回滯類的ESD器件包括NPN三極管、柵極接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS ...回滯類的ESD器件包括NPN三極管、柵極接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。 非回滯類的ESD器件包括二極管、...
齊納二極管（ Zener Diodes ，也稱穩(wěn)壓二極管 ） ：利用齊納二極管的反向擊穿特...齊納二極管（ Zener Diodes ，也稱穩(wěn)壓二極管 ） ：利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護(hù) ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容，這對(duì)于高速信號(hào)（例...
在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在...在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整PCB布局布線...
1、最大工作電壓(Max Working Voltage) 允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的...1、最大工作電壓(Max Working Voltage) 允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態(tài)下ESD器件不導(dǎo)通，保持高阻狀態(tài)，反向漏電流很小。
短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱性...短路故障是導(dǎo)致SiC MOSFET失效的重要原因之一，盡管SiC MOSFET具有較好的導(dǎo)熱性能，但與Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比，SiC MOSFET的短路保護(hù)在以下幾個(gè)方面更...
輸入浪涌電流：通常在開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)時(shí)，可能需要輸入端的主電網(wǎng)提供短時(shí)間的大電...輸入浪涌電流：通常在開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)時(shí)，可能需要輸入端的主電網(wǎng)提供短時(shí)間的大電流脈沖，這種電流脈沖通常被稱為輸入浪涌電流。
