圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路...圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該電路具有很少的關(guān)鍵寄生參數(shù) Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生參數(shù)對 SiC MOSFET 的特...
方案1可以設(shè)置R1，C1，R2，C2的數(shù)值以完成不同的延時，從而可以改變上電順序，...方案1可以設(shè)置R1，C1，R2，C2的數(shù)值以完成不同的延時，從而可以改變上電順序，但是有缺點(diǎn)，因?yàn)樵诠╇娀芈分写?lián)了電阻，如果是給功放等大功率的器件供電，會產(chǎn)生...
穩(wěn)壓二極管有一個特性，比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V，也就是說，當(dāng)其左...穩(wěn)壓二極管有一個特性，比如上面的穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓就是5.6V，也就是說，當(dāng)其左端的電壓沒有達(dá)到5.6V的時候，其是不導(dǎo)通的，當(dāng)電壓達(dá)到5.6V，這個穩(wěn)壓管才會導(dǎo)通，...
延時電路一般用在對于上電時序有要求的電路以及負(fù)載開始（上電時）較大的電路而...延時電路一般用在對于上電時序有要求的電路以及負(fù)載開始（上電時）較大的電路而言。
當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開，DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮...當(dāng)開啟電壓達(dá)到MOS管開啟電壓后MOS管才能打開，DS之間才能導(dǎo)通D1二極管才能點(diǎn)亮，電路中有一顆關(guān)鍵的元器件C1電容，當(dāng)按下SW1時電壓開始給C1充電，只有當(dāng)電容充到...
在電路設(shè)計過程中，有時需要“獨(dú)立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。...在電路設(shè)計過程中，有時需要“獨(dú)立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互“獨(dú)...
