由于主電路與微控制器STM32功率相差過(guò)大,MOS管和控制器之間必須隔離,因此每個(gè)...由于主電路與微控制器STM32功率相差過(guò)大,MOS管和控制器之間必須隔離,因此每個(gè)MOS管都采用獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路。
下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器,中間是導(dǎo)熱物質(zhì),比如導(dǎo)熱硅...下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器,中間是導(dǎo)熱物質(zhì),比如導(dǎo)熱硅脂,導(dǎo)熱物質(zhì)是為了讓熱量更高效的從功率MOSFET傳導(dǎo)到散熱器,從而最大效率的給功率...
通常情況下,一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載,即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電...通常情況下,一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載,即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電壓一個(gè)相位差的特性的負(fù)載為感性(如負(fù)載為電動(dòng)機(jī);變壓器;)。
上圖中,分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖,這兩個(gè)電路中都把繼電器...上圖中,分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖,這兩個(gè)電路中都把繼電器接在了集電極上。因?yàn)槿龢O管驅(qū)動(dòng)繼電器時(shí)需要工作在截止和飽和狀態(tài),如果把繼電器接...
正常輸入無(wú)過(guò)壓:穩(wěn)壓二極管D3截止,使得VCC_BAT通過(guò)R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極,...正常輸入無(wú)過(guò)壓:穩(wěn)壓二極管D3截止,使得VCC_BAT通過(guò)R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極,而Q2的射極也是VCC_BAT,因此Q2的Vbe=0,Q2截止。
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),利用其米勒效應(yīng),在電路設(shè)計(jì)中可以設(shè)計(jì)...MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),利用其米勒效應(yīng),在電路設(shè)計(jì)中可以設(shè)計(jì)電源緩啟動(dòng)電路(通常情況下,在正電源中用PMOS,在負(fù)電源中使用NMOS),可以實(shí)現(xiàn)防...