IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動，而放電時，它會關(guān)閉器件，然后可能會在...
在反激電路中，一旦 MOSFET 管關(guān)斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸?shù)礁边?，但漏?..在反激電路中，一旦 MOSFET 管關(guān)斷，變壓器就會將原邊的能量傳輸?shù)礁边?，但漏感能量卻無法被轉(zhuǎn)移，這會導(dǎo)致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因，...
上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lck...上面的原理圖是同步降壓轉(zhuǎn)換器的簡化圖。所有寄生電感都集中在一起，顯示為Lckt。如上所述，它們包括走線電感和封裝電感。與Lck成環(huán)的寄生電容主要來自處于關(guān)斷狀...
下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負載瞬態(tài)測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載...下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負載瞬態(tài)測試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負載電流。注意到負載電流上升斜率與下降斜率并不相同，較緩的上升斜率對應(yīng)較小的電壓跌...
通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電...通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設(shè)計師不得不降低變壓器漏感，選用更高...
配置PWM互補輸出的死區(qū)時間，本質(zhì)上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區(qū)...配置PWM互補輸出的死區(qū)時間，本質(zhì)上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區(qū)寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死區(qū)發(fā)生器設(shè)置）部分。
