報(bào)警器MOS管 7910 -28A-100V-概述 1、采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù) 2、極低通阻...報(bào)警器MOS管 7910 -28A-100V-概述 1、采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù) 2、極低通阻RDS(on) 3、符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
上面的電路是一個(gè)最簡(jiǎn)單的負(fù)壓產(chǎn)生電路。使用的原件是最少的，只需要給它提供1...上面的電路是一個(gè)最簡(jiǎn)單的負(fù)壓產(chǎn)生電路。使用的原件是最少的，只需要給它提供1kHz左右的方波就可以了，相當(dāng)簡(jiǎn)單。這里需要注意這個(gè)電路的帶負(fù)載能力是很弱的，同時(shí)...
電源電路是電路設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)，一般情況下，單電源能實(shí)現(xiàn)功能的用單電源就行，...電源電路是電路設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)，一般情況下，單電源能實(shí)現(xiàn)功能的用單電源就行，可選的方案很多，DC-DC、LDO等芯片很多。有時(shí)候，單電源無(wú)法滿足需求時(shí)，就必須用到...
可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾...可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾值電壓絕對(duì)值都隨溫度的升高而降低。
HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進(jìn)的器件，設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器和續(xù)流...HID 600V KIA06TB60D 該系列是最先進(jìn)的器件，設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器和續(xù)流二極管。
結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，...結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測(cè)定方法與標(biāo)識(shí)方法有差異。實(shí)際上結(jié)電容還包括引線電極與管芯之間的電容、管芯...
