KIA830H參數(shù)引腳圖中文資料,替代irf830,5n50場效應管-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-08-16
KIA830H場效應管可以替代irf830,5n50型號應用在HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中;KIA830H性能出色,漏源電壓500V,漏極電流5A,開啟狀態(tài)下的電阻為1.0Ω,穩(wěn)定可靠;具有低電阻和低柵極電荷的特點,符合RoHS環(huán)保要求,在峰值電流或脈沖寬度方面,都能夠表現(xiàn)出卓越的性能;兩種封裝形式:TO-220、TO-252,方便安裝使用。
漏源電壓:500V
漏極電流:5A
柵源電壓:±20V
最大功耗:100W
開啟電壓:2~4V
輸入電容:730PF
輸出電容:80PF
開通延遲時間:13nS
關(guān)斷延遲時間:40nS
上升時間:15ns
下降時間:20ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。