開關(guān)電源死區(qū)時間是什么？詳解-KIA MOS管

開關(guān)電源死區(qū)時間定義

在開關(guān)電源中，死區(qū)時間是指開關(guān)管切換時兩個管子關(guān)閉的時間差。死區(qū)時間是為了避免上下管同時打開導(dǎo)致燒管的危險而設(shè)置的。死區(qū)時間會對開關(guān)電源的效率、穩(wěn)定性和壽命產(chǎn)生影響，因此降低死區(qū)時間對提高開關(guān)電源的效率和可靠性非常重要。

死區(qū)時間（Dead Time）是指在開關(guān)管轉(zhuǎn)換過程中，關(guān)閉管與開啟管之間需要相應(yīng)一段時間（通常為幾納秒到數(shù)微秒不等），以保證兩個管之間不會同時導(dǎo)通而導(dǎo)致短路的現(xiàn)象。換句話說，死區(qū)時間是指關(guān)閉一個管，必須等待一定時間才能開啟另一個管。而死區(qū)產(chǎn)生的原因主要是開關(guān)管不可避免的開關(guān)延遲和間隙。

死區(qū)時間的影響因素

1.開關(guān)管特性

開關(guān)管的特性如開關(guān)時間、截止時間、導(dǎo)通電阻等，都會影響死區(qū)時間的大小。其中，開關(guān)時間越大，死區(qū)時間越小，截止時間越小，死區(qū)時間越大。

2.負(fù)載電感

負(fù)載電感的大小也會影響死區(qū)時間。負(fù)載電感越大，死區(qū)時間越小，原因是負(fù)載電感會抑制電壓和電流的上升和下降速度，并儲存一定的電能，減少開關(guān)轉(zhuǎn)換時交流電壓變化的時間。

3.電容

電容的存在也是影響死區(qū)時間的因素。當(dāng)開關(guān)管切換時，電容能夠提供瞬時的電流，緩沖電流變化的過程，減小死區(qū)時間。

4.輸入電壓

開關(guān)電源的輸入電壓大小也會影響死區(qū)時間，因為輸入電壓的大小不同，電路中的電流和電壓變化速度也就不同，進(jìn)而影響死區(qū)時間的大小。

死區(qū)時間對開關(guān)電源的影響

1.消耗功率

在死區(qū)時間內(nèi)，兩個開關(guān)管都關(guān)閉狀態(tài)下，此時電源瞬時不提供負(fù)載電流，因此產(chǎn)生的功率損耗是開關(guān)電源的一個主要問題。

2.滯后現(xiàn)象

死區(qū)時間的大小會使開關(guān)管導(dǎo)通時出現(xiàn)滯后現(xiàn)象，即開關(guān)管的導(dǎo)通時間會受到死區(qū)時間的限制，導(dǎo)致開關(guān)管不能及時響應(yīng)控制信號，從而影響整個電源的工作效率。

3.EMC問題

死區(qū)時間的存在很容易引起EMC問題。在轉(zhuǎn)換前后階段，開關(guān)管的工作狀態(tài)不同，可能會產(chǎn)生較大的電磁干擾噪聲，從而干擾其他電路的工作。

為什么需要死區(qū)時間？

死區(qū)時間控制通過控制MOSFET驅(qū)動器的導(dǎo)通時間來防止直通電流在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間流過主功率FET。在低側(cè)FET的柵極驅(qū)動電壓較低之前，不允許高側(cè)驅(qū)動器導(dǎo)通，在功率FET結(jié)處的電壓（Vdrain）較低之前不允許低側(cè)驅(qū)動器導(dǎo)開；TTL兼容DT端子連接到功率FET的結(jié)點。

典型的死區(qū)時間

如何降低死區(qū)時間和提高開關(guān)電源的效率

1. 采用較低導(dǎo)通電阻的 MOSFET 作為同步管代替續(xù)流二極管；

2. 降低寄生二極管的導(dǎo)通電阻，如增加通電區(qū)面積；

3. 恰當(dāng)設(shè)置死區(qū)時間，避免上下管同時打開，可調(diào)節(jié)死區(qū)時間的大小以提高開關(guān)電源的效率。

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