varactor電容,變?nèi)荻O管正負(fù)極判斷,原理作用-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-07-24
Varactor電容,也稱為變?nèi)荻O管,其電容值可以根據(jù)外加電壓的變化而改變。變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量一般較小,其最大值為幾十皮法到幾百皮法,最大區(qū)容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等。
變?nèi)荻O管原理作用
變?nèi)荻O管的電路圖形符號(hào)
從本質(zhì)上講,它屬于反偏壓的二極管,其結(jié)電容就是耗盡層的電容??山品春谋M層視為平行板電容器,兩個(gè)導(dǎo)電板之間有介質(zhì)。因此,結(jié)電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反比,有公式C1∝1/d,又因?yàn)閐與反向偏壓VR的n次方成正比(n是與摻雜濃度有關(guān)的常數(shù)),故C1∝1/VRn,因此,反向偏壓愈高,耗盡區(qū)就愈寬,而結(jié)電容量愈小。反之亦然。(a)圖中,VR1>VR2,故d2>d1,Cj2<Cj1。
變?nèi)荻O管的簡化等效電路及電路符號(hào)分別如圖(b)、(c)所示。圖中用一只可變電容來表示結(jié)電容。R2是半導(dǎo)體材料的電阻。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管,改變其PN結(jié)上的反向偏壓,即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高,結(jié)電容則越少,反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的。
變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖所示。通常,中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。
作用特點(diǎn)
1、變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管,改變其PN結(jié)上的反向偏壓,即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高,結(jié)電容則越少,反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的,如圖所示。
變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解:
(a) 反向偏壓增加,造成電容減少;
(b) 反向偏壓減少,造成電容增加。
電容誤差范圍是一個(gè)規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示最小值、標(biāo)稱值及最大值,這些經(jīng)常繪在圖上。
在外觀上,變?nèi)荻O管通常有明顯的標(biāo)記或區(qū)分,例如紅色圓形表示陽極(正極),黑色部分則表示陰極(負(fù)極)。如果未能明確標(biāo)記,可以根據(jù)型號(hào)規(guī)格手冊(cè)查看其引腳功能。
選擇500型萬用表的R×1k檔。首先將紅表筆接一端,黑表筆接另一端,若測(cè)得電阻值為6.5kΩ,與此同時(shí)記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n′≈19.7格。然后交換管腳位置后重新測(cè)量,電阻值變成無窮大。由此判定第一次為正向接法,正向電阻為6.5kΩ,正向?qū)妷篤F=0.03V/格×9.7格=0.59V。第二次則屬于反向接法。該管子具有單向?qū)щ娦裕⑶铱拷t色環(huán)的管腳為正極。欲測(cè)量變?nèi)荻O管的結(jié)電容,可選用100pF量程的線性電容表。
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