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判斷mos管的工作狀態(tài)方法分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-07-15 

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判斷mos管的工作狀態(tài)方法分享-KIA MOS管


判斷mos管的工作狀態(tài)

萬用表測試:

通過調整萬用表至二極管測試檔,測量MOS管的體二極管的正向和反向偏置電壓,可以判斷MOS管是否正常工作。對于NMOS管,將紅表筆接源極(S),黑表筆接漏極(D),測量正向偏置電壓;然后交換表筆位置,測量反向偏置電壓。對于PMOS管,表筆連接方式與NMOS管相反。觀察萬用表顯示的電壓值,并與MOS管的數(shù)據(jù)表進行比較,從而判斷其工作狀態(tài)。


電阻測試:

當MOS管的柵極沒有觸發(fā)脈沖時,漏源電阻應該很高。通過測量漏源之間的電阻,可以判斷MOS管是否有故障。將萬用表調至歐姆檔,將表筆分別接在MOS管的漏極(D)和源極(S)上,觀察萬用表顯示的電阻值,并與MOS管的數(shù)據(jù)表進行比較,若電阻值遠大于數(shù)據(jù)表中的典型值,則可能存在故障。


連續(xù)性測試和蜂鳴器輔助測試:

使用數(shù)字萬用表的連續(xù)性模式,通過聽取蜂鳴器的聲音來判斷MOS管的連通性。將萬用表調至連續(xù)性測試檔,將表筆分別接在MOS管的漏極(D)和源極(S)上。若蜂鳴器響起,則表明MOS管存在故障;若蜂鳴器保持靜音,則MOS管狀態(tài)良好。


組裝測試電路:

通過搭建簡單的測試電路來評估MOS管的工作狀態(tài)。這種方法更直接地反映了MOS管在實際電路中的應用情況。


mos管的三個工作狀態(tài)

截止狀態(tài):當VGS(柵源電壓)小于VGS(TH)(閾值電壓)時,MOS管處于截止狀態(tài)。此時,漏極電流ID很小,相當于管子不導通。


線性區(qū)(也稱三極管區(qū)或放大區(qū)):當VGS大于VGS(TH),且VDS(漏源電壓)小于VGS-VGS(TH)時,MOS管導通,且工作在線性區(qū)。此時,MOS管可以等效為線性電阻,漏極電流ID隨著VDS的增大而線性增大。


飽和區(qū):當VGS大于VGS(TH),且VDS大于VGS-VGS(TH)時,MOS管導通,且工作在飽和區(qū)。此時,MOS管可以等效為電壓控制的電流源,漏極電流ID幾乎不隨VDS的變化而變化,達到最大值。


需要注意的是,以上三種狀態(tài)是基于NMOS管的描述,對于PMOS管,電壓和電流的方向會相反。同時,不同類型的MOS管(如增強型或耗盡型)也可能有不同的工作狀態(tài)和特性。


此外,還有放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)和截止狀態(tài)等術語,但在描述MOS管的工作狀態(tài)時,更常用的術語是線性區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。這些術語更準確地描述了MOS管在不同電壓條件下的工作狀態(tài)和特性。


1、放大狀態(tài):

當輸入信號電壓為高電平時,mos管的集電極電位由低向高變化,這時集電極電流i2增大。


2、飽和狀態(tài):

當輸入信號電壓為零時,mos管處于截止狀態(tài);此時集電極電流很小。


3、截止狀態(tài):

當輸入的負偏置信號(例如地)加到mos管的基極上時,使管子導通而工作于截止區(qū)。在這種情況下輸出端沒有電流通過。

mos管,工作狀態(tài)


mos管的工作原理

當給定的正反饋條件滿足后,若將控制電路中的控制電壓加在柵源之間以形成負反饋回路,則可使晶體管導通而達到放大目的;反之亦然。


mos管的三個工作狀態(tài)怎么判斷?

工作區(qū)域的判定方法(NMOS):

當 Vgs < Vth 時,截止區(qū)。

當 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 時,變阻區(qū)。

當 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 時,飽和區(qū)(恒流區(qū))。

其中 Vth 是 MOS管 的一個重要參數(shù)——開啟電壓。


當MOS管工作在變阻區(qū)內時,其溝道是“暢通”的,相當于一個導體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時近似滿足V-I的線性關系,即有一個近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制,故稱變阻區(qū)域。


MOS管工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))與 BJT 的飽和區(qū)不同,稱 MOS管此區(qū)為飽和區(qū),主要表示 Vds 增加 Id 卻幾乎不再增加——也即電流飽和。其實在此飽和區(qū)內,MOS管 和 BJT 都處于受控恒流狀態(tài),故也稱其為恒流區(qū)。


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