ujt,單結(jié)晶體管圖形符號(hào),工作原理詳解-KIA MOS管

ujt,單結(jié)晶體管詳解

單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端半導(dǎo)體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個(gè)均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導(dǎo)體作為基區(qū)，兩端做成歐姆接觸的兩個(gè)基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個(gè)極的位置上用淺擴(kuò)散法重?fù)诫s制成 PN結(jié)作為發(fā)射極。當(dāng)基極B1和B2之間加上電壓時(shí)，電流從B2流向B1,并在結(jié)處基區(qū)對(duì)B1的電勢(shì)形成反偏狀態(tài)。

ujt,單結(jié)晶體管,符號(hào),原理

單結(jié)晶體管圖形符號(hào)、結(jié)構(gòu)、等效電路

單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的p型和n型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo)n型通道內(nèi)形成一個(gè)單一的pn結(jié)（因此得名單結(jié)）。雖然單接合面電晶體晶體管的名稱是晶體管，但它的開(kāi)關(guān)特性與傳統(tǒng)的雙極型或場(chǎng)效應(yīng)晶體管非常不同，因?yàn)樗荒苡脕?lái)放大信號(hào)，而是用作開(kāi)關(guān)晶體管。

UJT具有單向電導(dǎo)率和負(fù)阻抗特性，在擊穿時(shí)更像一個(gè)可變的分壓器。與n溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣，UJT由一塊n型半導(dǎo)體材料固體組成，形成主電流傳輸通道，其兩個(gè)外部連接標(biāo)記為Base2（B2）和Base1(B1)。第三個(gè)連接，被混淆地標(biāo)記為發(fā)射器（e）位于通道沿線。發(fā)射器端子由一個(gè)從p型發(fā)射器指向n型基極的箭頭表示。單接合面電晶體的發(fā)射極整流p-n結(jié)是通過(guò)將p型材料熔化成n型硅通道而形成的。然而，p通道UJT與n型發(fā)射極端子也可用，但這些是很少使用。發(fā)射極結(jié)沿通道定位，使其更接近終端b2而不是B1。在UJT符號(hào)中使用一個(gè)箭頭，該箭頭指向基極，表示發(fā)射極端子為正，硅條為負(fù)材料。

如果將一個(gè)信號(hào)加在發(fā)射極上，且此信號(hào)超過(guò)原反偏電勢(shì)時(shí)，器件呈導(dǎo)電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢(shì)降低，并保持導(dǎo)通狀態(tài)，改變兩個(gè)基極間的偏置或改變發(fā)射極信號(hào)才能使器件恢復(fù)原始狀態(tài)。因此，這種器件顯示出典型的負(fù)阻特性，特別適用于開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中的弛張振蕩器，可用于定時(shí)電路、控制電路和讀出電路。

單結(jié)晶體管的特性

單結(jié)晶體管的伏安特性，是指在單結(jié)晶體管的e、b1極之間加一個(gè)正電壓Ue，在b2、b1極之間加一個(gè)正電壓Ubb，其發(fā)射極電流Ie與發(fā)射極電壓Ue的關(guān)系曲線。

單結(jié)晶體管的Ie——Ue伏安特性曲線如圖所示。

ujt,單結(jié)晶體管,符號(hào),原理

由單結(jié)晶體管的伏安特性曲線可見(jiàn)：

（1）當(dāng)發(fā)射極所加的電壓Ue＜Up(峰點(diǎn)電壓，約6～8V)時(shí)，單結(jié)晶體管的Ie電流為很小的反向漏電電流，即曲線的AP段。此時(shí)，單結(jié)晶體管是處于截止?fàn)顟B(tài)的，其e、b1極之間的等效阻值非常大，e、b1極之間相當(dāng)于一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。

（2）當(dāng)發(fā)射極所加的電壓Ue越過(guò)Up峰點(diǎn)電壓后，單結(jié)晶體管開(kāi)始導(dǎo)通，隨著導(dǎo)通電流Ie的增加，其e極對(duì)地的電壓Ue是不斷下降的，即曲線的PV段。在曲線的PV段，其動(dòng)態(tài)的電阻值是負(fù)值的，這一區(qū)間又叫負(fù)阻區(qū)。負(fù)阻區(qū)是一個(gè)過(guò)渡區(qū)，時(shí)間很短，隨著Ie電流的增加，電壓Ue將很快達(dá)到谷點(diǎn)電壓Uv。

（3）當(dāng)Ie增加到谷點(diǎn)電壓所對(duì)應(yīng)的電流，即谷點(diǎn)電流Iv之后，Ue將隨Ie的增加而增加，即曲線的VB段，其動(dòng)態(tài)電阻是正值的，這一區(qū)間又稱為飽和區(qū)。單結(jié)晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，其e、b1極之間的等效阻值非常小，e、b1極之間相當(dāng)于一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)。

綜上所述，單結(jié)晶體管的e、b1極之間，相當(dāng)于一個(gè)受發(fā)射極電壓Ue控制的開(kāi)關(guān)，故可以用來(lái)作振蕩元件。

單結(jié)晶體管極性的判斷

單結(jié)晶體管極性的判斷方法常有兩種，一種是從外觀來(lái)看，另一種是用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量。

（1）外觀判斷法。從外觀上看，引腳與外殼相通的電極，一般是b1極；與凸耳相靠近的電極一般為e極。

（2）萬(wàn)用表判斷法

1）發(fā)射極e的判斷

單結(jié)晶體管，也叫雙基極二極管，有e、b1、b2三個(gè)電極，其三個(gè)管腳的極性可用萬(wàn)用表的R×1K擋來(lái)進(jìn)行判斷。測(cè)任意兩個(gè)管腳的正向電阻和反向電阻，直到測(cè)得的正反向電阻都基本不變時(shí)（一般約10KΩ～30 KΩ，不同型號(hào)的管阻值有差異），這兩個(gè)管腳就是兩個(gè)基極，剩下的另一個(gè)管腳就是發(fā)射極e。

2）b1、b2電極的判斷

在判斷出發(fā)射極e的基礎(chǔ)上，萬(wàn)用表量程置于R×1K擋，黑表筆發(fā)射極，紅表筆分別接另外兩個(gè)極，萬(wàn)用表兩次均會(huì)導(dǎo)通，兩次測(cè)量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是單結(jié)晶體管的b1極。

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