MOS管快速關(guān)斷,加速mos管關(guān)斷電路-KIA MOS管

提高驅(qū)動(dòng)電流能力

直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)MOS管快速開關(guān)太困難了，畢竟單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)能力實(shí)在有限。選用兩個(gè)三極管搭建推挽輸出驅(qū)動(dòng)電路是個(gè)成本較低的不錯(cuò)選擇。

MOS管關(guān)斷,快速,加速

PNP加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路

如圖使用PNP加速NMOS關(guān)斷，開啟時(shí)電流通過二極管D，關(guān)斷時(shí)則利用PNP三極管主動(dòng)從G極汲取電流。

MOS管關(guān)斷,快速,加速

下圖展示了PNP加速NMOS關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過程電流流向。左圖在控制端從低電平往高電平切換時(shí)，Vbe>0，Q2關(guān)斷，充電電流從二極管D流入，Q1開啟；右圖在控制端從高電平往低電平切換時(shí)，G極電平不會(huì)瞬間變化，此時(shí)Vbe<-0.7V,Q2導(dǎo)通，Q2快速將電荷從G極汲取走，使G極電平快速下降，達(dá)到Q1快速關(guān)斷的目的。

MOS管關(guān)斷,快速,加速

PNP加速關(guān)斷電路是目前應(yīng)用最多的電路，在加速三極管的作用下可以實(shí)現(xiàn)瞬間的柵源短路，從而達(dá)到最短的放電時(shí)間。之所以加二極管，一方面是保護(hù)三極管基極，另一方面是為導(dǎo)通電流提供回路及偏置。

該電路的優(yōu)點(diǎn)為可以近似達(dá)到推拉的效果，加速效果明顯。缺點(diǎn)是柵極由于經(jīng)過兩個(gè)PN節(jié)，不能使柵極真正的達(dá)到OV（GND），但電壓很低，不影響NMOS的完全關(guān)斷。

NPN加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路圖

使用NPN加速PMOS關(guān)斷的電路，關(guān)斷時(shí)電流通過二極管D，導(dǎo)通時(shí)則利用NPN三極管主動(dòng)往G極灌入電流。

MOS管關(guān)斷,快速,加速

下圖展示了NPN加速PMOS關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過程電流流向。左圖在控制端從高電平往低電平切換時(shí)，Vbe<0,Q1關(guān)斷，放電電流從二極管D流出，Q2開啟；右圖在控制端從低電平往高電平切換時(shí)，G極電平不會(huì)瞬間變化，此時(shí)Vbe>0.7V,Q1導(dǎo)通，Q1快速將電荷從G極灌入，使G極電平快速上升，達(dá)到Q2快速關(guān)斷的目的。

MOS管關(guān)斷,快速,加速