MOS管熱阻計(jì)算、測(cè)量方法圖文分享-KIA MOS管

MOS管熱阻計(jì)算

MOS管熱阻的計(jì)算公式：

Rth = (Tj- Ta) / P。

其中，Rth為MOS管的熱阻，單位為°C/W；Tj為MOS管的結(jié)溫，單位為°C；Ta為MOS管的環(huán)境溫度，單位為°C；P為MOS管的功率損耗，單位為W。

MOS管的熱阻計(jì)算涉及以下方面：

穩(wěn)態(tài)熱阻：

穩(wěn)態(tài)熱阻是指在穩(wěn)定工作狀態(tài)下，兩測(cè)量點(diǎn)之間的溫差與通過散熱面的能量之比。

公式為：[ R_{\Theta} = \frac{\Delta T}{Pd} ] 其中，[ \Delta T ] 是溫差，[ Pd ] 是單位時(shí)間內(nèi)通過散熱面的能量。穩(wěn)態(tài)熱阻是一個(gè)反映散熱體散熱性能的參數(shù)，其值越大，散熱越慢。

瞬態(tài)熱阻：

瞬態(tài)熱阻用于衡量電路中開關(guān)時(shí)刻、浪涌時(shí)刻等瞬間的與散熱相關(guān)的能力。它反映了散熱體在熱慣性的作用下，在熱傳遞過程中對(duì)熱阻的改變。瞬態(tài)熱阻的定義是在某一時(shí)間間隔末尾，兩測(cè)試點(diǎn)的溫度變化與引起這一變化的耗散功率之比。

MOS管的熱阻參數(shù)：

數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常提供的熱阻參數(shù)，如RJA或RBJC，是指從MOS管的結(jié)溫到周圍環(huán)境的熱阻。例如，RBJC表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻。

計(jì)算方法示例：

對(duì)于給定的MOS管，可以使用其數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的熱阻參數(shù)（如RJA=62℃/W）來計(jì)算溫升。例如，當(dāng)MOS管以5A的電流工作時(shí)，可以計(jì)算溫升為[ Pd * Rja = I^2 * Rds(on) * Rja ]。

散熱條件的影響：

不同的散熱條件（如MOS管是否焊接到PCB或直接暴露在空氣中）會(huì)影響其散熱性能，從而影響熱阻的計(jì)算。例如，焊接到PCB上的MOS管相比直接暴露在空氣中的MOS管具有更小的熱阻。

封裝類型的影響：

不同封裝的MOS管（如To-220封裝）在計(jì)算熱阻時(shí)需要考慮不同的散熱路徑和條件。例如，如果不使用散熱器，需要使用Rja來計(jì)算溫度。

MOS管熱阻的測(cè)量方法

穩(wěn)態(tài)熱阻：兩處測(cè)量點(diǎn)溫差△T，單位時(shí)間內(nèi)通過散熱面的能量為Pd，熱阻RΘ=△T/Pd，單位℃/W。它是一個(gè)反映了散熱體散熱性能的參數(shù)。熱阻越大，散熱越慢。（字面意思理解也很簡單，阻礙熱量傳遞的能力）

瞬態(tài)熱阻：因?yàn)殡娮悠骷臏厣⒉灰欢ǚ浅Ｆ交７逯禍囟韧绕骄鶞囟雀又旅?。所以峰值溫度成為了限制器件工作特性的主要因素?/span>

溫度的峰值往往出現(xiàn)在脈沖寬度tp較短，占空比D低的情況下，這說明器件的溫升不僅僅與Pd相關(guān)了，還和脈沖寬度、脈沖形狀（方波、鋸齒波、正弦波這種的典型波形）、頻率等有關(guān)聯(lián)。穩(wěn)態(tài)熱阻的局限性就顯現(xiàn)出來了。所以引入了瞬態(tài)熱阻，用來衡量電路中開關(guān)時(shí)刻、浪涌時(shí)刻等瞬間的與散熱相關(guān)的能力。

瞬態(tài)熱阻的定義：在某一時(shí)間間隔的末尾，兩處測(cè)試點(diǎn)的溫度變化與引起這一變化的，在該時(shí)間間隔開始時(shí)按階躍函數(shù)變化的耗散功率之比。ZΘ=r（tp，D）RΘ

r（tp，D）表示脈沖寬度與占空比之間的一個(gè)比例。不難看出瞬態(tài)熱阻與穩(wěn)態(tài)熱阻具有關(guān)聯(lián)性。瞬態(tài)熱阻反映了散熱體在熱慣性的作用下，在熱傳遞的過程中對(duì)熱阻的改變。

2、結(jié)溫與殼溫

3、測(cè)試電路

萬用表測(cè)得數(shù)據(jù)記為UR；

Mos體二極管電壓、電流記為Uf，If；

電源電壓記為U。

測(cè)量mos熱阻

第一步：將電路板置于溫箱中，類似于下圖設(shè)備。主要是為了保證靜態(tài)無風(fēng)狀態(tài)。加熱后，使其內(nèi)部達(dá)到熱平衡。即Tj=Tc。這個(gè)溫度（T1）不能過低，因?yàn)闇囟冗^低，結(jié)溫和殼溫不可能相同。

電路中使用的電阻R為2KΩ，緩慢調(diào)節(jié)電源電壓U至20.7V時(shí)（二極管通態(tài)壓降為0.6-0.8左右），mos的體二極管電流If達(dá)到10mA。

保持U不變，提高溫度，記錄UR與對(duì)應(yīng)溫度。根據(jù)Uf=U-UR，得出數(shù)據(jù)；

第二步：將溫箱溫度調(diào)回T1，并放入一個(gè)熱電偶測(cè)量溫箱內(nèi)環(huán)境溫度Ta，進(jìn)一步確認(rèn)數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。再連接一個(gè)熱電偶至MOS，測(cè)量殼溫Tc。當(dāng)然實(shí)際測(cè)量的mos應(yīng)該已經(jīng)焊接在電路板上了。

在保持溫箱溫度不變的情況下。提升If（提高 U），記錄萬用表讀數(shù)Uf。根據(jù)Pd=Uf*If得到不同時(shí)刻的耗散功率。

第三步，迅速降低If至10mA。即將電源電壓U降低至20.7V。記錄此時(shí)的Uf后，去第一步中收集的表格里，找對(duì)應(yīng)的溫度，即Tj。

最終，按照公式計(jì)算熱阻：

結(jié)到殼的熱阻RΘjc=(Tj-Tc)/Pd

殼到環(huán)境的熱阻RΘca=（Tc-Ta）/Pd

結(jié)到環(huán)境的熱阻RΘja=(Tj-Ta)/Pd

這種方法是實(shí)驗(yàn)室粗略估計(jì)熱阻的一種方式。

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