mos管防反接電路圖,防反接電路原理-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-13
優(yōu)點：占地面積小，成本低，壓降小，可過大電流。
原理：PMOS、NMOS做反接保護的原理都一樣，以PMOS的電路為例。
PMOS：-電源極性正常接入時。Q2的寄生二極管導通，右側S極的電壓為（24-0.7）=23.3V。
G極電壓為R9、R10的分壓24x（200/（100+200））=16V。
于是Q2的Vgs=16-23.3=-7.3V。
大于AO3401的門極導通閥限電壓-1.3V，MOS管DS極導通。
MOS導通后，MOS的寄生二極管被DS短路。
此時的壓降Vds僅等于MOS-DS極內(nèi)阻x電流，Q2熱功耗很小。
-電源反接時，Q2的寄生二極管關斷，DS極需要承受電壓。
設計要點：R9、R10的取值，要保證不會超出最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
MOS管的選型，要考慮Vds、Vgs、DS極導通電阻（Rds-on）、DS極電流。
MOS盡量使用Rds-on小的型號。
P-MOS反接保護電路：
圖中R9、R10為分壓作用。使P-MOS的Vgs，不會超過±12V的最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
N-MOS反接保護電路：
圖中R9、R10為分壓作用。使N-MOS的Vgs，不會超過±12V的最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。
使用“P型”MOS管的防電源反接電路。
使用MOS管實現(xiàn)的防電源反接電路，在電源正確接入時，電源正常對負載供電。在電源正負極反接時，斷開負載電路，從而保護負載。
電路分析（以Vin = 5V為例）
1、電源正確接入時
電源正常接入，也就是電源沒有正負反接，此時電源正常對負載供電。
假設拿掉MOS管g極的電阻R1，此時MOS管將不導通，但Vin可以通過MOS管的體二極管對負載進行供電。
體二極管的壓降約為 5V - 4.3V = 0.7V。
實際上MOS管的g極是有電阻R1的，MOS管的g極通過電阻R1接到電源負極的GND。
在MOS管導通前，Vin的電壓依然通過MOS管體二極管串到Vout（也就是MOS管s極的電壓）。
而當Vout從0上升到足夠高時（往往不需要到4.3V），已經(jīng)有足夠大的Vgs電壓將MOS管打開，最終各點的電壓如下圖。
此時Vgs= Vg - Vs = 0 - 5V = -5V。
2、電源正負極反接時
由于MOS管g極電壓為5V --> 所以Vgs電壓大于0 --> MOS管不導通，且體二極管也反向截止 --> 電流不能形成回路 --> 負載被保護。
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