什么是高邊驅(qū)動(dòng)？高邊驅(qū)動(dòng)電路分享-KIA MOS管

高邊驅(qū)動(dòng)

高邊驅(qū)動(dòng)：開(kāi)關(guān)位于電源和負(fù)載之間。

高邊驅(qū)動(dòng)是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線閉合開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置的使能。高邊驅(qū)動(dòng)形象點(diǎn)說(shuō)，像在電路的電源端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)。

高邊驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單理解：負(fù)載的一端默認(rèn)與電路的負(fù)級(jí)即地保持連接，負(fù)載的另一端與開(kāi)關(guān)連接，當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載的另一端與電源連接，負(fù)載開(kāi)始工作，當(dāng)開(kāi)關(guān)與關(guān)斷時(shí)，負(fù)載的另一端與電源斷開(kāi)，負(fù)載停止工作。高邊驅(qū)動(dòng)（High Side Drivers），簡(jiǎn)稱為HSD。

高邊驅(qū)動(dòng)電路

P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管和N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管都可以用作高邊驅(qū)動(dòng)，兩者的結(jié)構(gòu)和工作原理都有所不同。

PMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管打開(kāi)導(dǎo)通，此時(shí)Vo輸出為高，可以驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管關(guān)閉，此時(shí)Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉。

當(dāng)PMOS由打開(kāi)到關(guān)閉的過(guò)程中，感性負(fù)載會(huì)一直放電，從而在下降過(guò)程中出現(xiàn)箝位。

圖：PMOS作高邊驅(qū)動(dòng)

NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管關(guān)閉，此時(shí)Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管打開(kāi)導(dǎo)通，此時(shí)Vo輸出為高，可以驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載，而NMOS導(dǎo)通時(shí)，VS近似為UB，故而VG須大于UB（13V），這便需要一個(gè)Pump將輸入端的電壓提高，如圖所示。

圖：NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)

測(cè)試高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)步驟基本和測(cè)試低邊驅(qū)動(dòng)相同，區(qū)別的是根據(jù)不同類型MOS管，其控制導(dǎo)通和關(guān)斷的順序不致。

PMOS管制作工藝復(fù)雜，成本較高；而NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)，為了有較高輸入電壓，還需額外增加一個(gè)Pump。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。