混合集成電路詳解,混合集成電路分類,特點-KIA MOS管

混合集成電路介紹

混合集成電路是將半導體集成工藝與薄/厚膜工藝結合而制成的集成電路。是半導體集成電路外圍元件的再集成，或稱為二次集成?；旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB線，并在同一基片上將分立的半導體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。相對于單片集成電路，它設計靈活，工藝方便，便于多品種小批量生產(chǎn)；并且元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好，可以承受較高電壓和較大功率。

混合集成電路是將不同類型的電子元器件集成到一個芯片上，從而實現(xiàn)更高性能、更小尺寸和更低功耗的電路。混合集成電路通常由硅芯片和其他材料（如陶瓷或塑料）的基板組成，其中晶體管等半導體器件被整合到芯片的表面。

混合集成電路特點

混合集成電路是將一個電路中所有元件的功能部分集中在一個基片上，能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點，因而能提高電子設備的裝配密度和可靠性。由于這個結構特點，混合集成電路可當作分布參數(shù)網(wǎng)絡，具有分立元件網(wǎng)路難以達到的電性能。

混合集成電路的另一個特點，是改變導體、半導體和介質三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質以及它們的引出位置得到具有不同性能的無源網(wǎng)路。

混合集成電路種類

按照功能分類：可分為混合集成放大器類、集成頻率源、濾波器、轉換器、功率、濾波器類等。

按照表面厚膜薄膜導帶工藝分類：分為厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路兩類。

制造混合集成電路常用的成膜技術有兩種：網(wǎng)印燒結和真空制膜。用前一種技術制造的膜稱為厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一種技術制造的膜稱為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路，即稱為厚膜混合集成電路；若是薄膜網(wǎng)路，則稱為薄膜混合集成電路。

某些小型的控制電路板(PCB)電路，由于印制電路是以膜的形式在平整板表面形成導電圖形，亦歸類為混合集成電路。隨著MCM組件這一先進混合集 成電路的出現(xiàn)，基板特有的多層布線結構和通孔L工藝技術，已使MCM組件成為混合集成電路中一種高密度互連結構的代名詞，MCM所采用的基板又包括薄膜多層、厚膜多層、高溫共燒、低溫共燒、硅基、PCB多層基板等。因此從混合集成電路布線的工藝技術特點分類，混合集成電路可分厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路和多芯片組件。

混合集成電路和半導體集成電路區(qū)別

與傳統(tǒng)的半導體集成電路相比，混合集成電路在設計和制造上更加復雜，并且可以容納更多種類的器件。半導體集成電路通常只能包含相同類型的器件，而混合集成電路則可以支持包括光學元件、電感元件和微波元件等各種器件類型。

混合集成電路的應用以模擬電路、微波電路為主，也用于電壓較高、電流較大的專用電路中。例如電臺、電子計算機、測試測量、航空、微波無線電等。

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