【收藏】場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào),MOS管電路符號(hào)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-10-12
場(chǎng)效應(yīng)管是利用電場(chǎng)控制的半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn)。符號(hào)如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)極，分別是源極S，柵極G，漏極D。場(chǎng)效應(yīng)管的文字符號(hào)是“ VT ”。
場(chǎng)效應(yīng)管可分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管因有兩個(gè)PN結(jié)而得名；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之分外，還有增強(qiáng)型與耗盡型之分。
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：種利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)，感應(yīng)電荷多少改變導(dǎo)電溝道來(lái)控制漏極電流的電子元器件；柵極與半導(dǎo)體間絕緣； N溝道在一塊濃度較低P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)
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