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施密特電路,施密特觸發(fā)器電路原理-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2023-08-17 

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施密特電路,施密特觸發(fā)器電路原理-KIA MOS管


施密特觸發(fā)器

施密特觸發(fā)器是一種具有遲滯的比較器電路,通過(guò)向比較器或差分放大器的同相輸入端施加正反饋來(lái)實(shí)現(xiàn)。施密特觸發(fā)器使用兩個(gè)輸入不同的閾值電壓電平來(lái)避免輸入信號(hào)中的噪聲,這種雙閾值的作用稱為滯后。


施密特觸發(fā)器有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),與一般觸發(fā)器不同的是,施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式,其狀態(tài)由輸入信號(hào)電位維持;對(duì)于負(fù)向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號(hào),施密特觸發(fā)器有不同的閾值電壓。


施密特電路、工作原理

施密特電路 觸發(fā)器

此電路是通過(guò)公共發(fā)射極電阻耦合的兩級(jí)正反饋放大器。

從模電的角度來(lái)分析此電路的工作原理。


v1輸入為低電平時(shí):T1截止,T2飽和導(dǎo)通。

v1逐漸升高:T1飽和導(dǎo)通,T2截止。

施密特電路 觸發(fā)器

v1逐漸降低:T1截止,T2飽和導(dǎo)通。

施密特電路 觸發(fā)器

設(shè)定R1>R2,則T1飽和導(dǎo)通時(shí)的vE值 < T2飽和導(dǎo)通時(shí)的vE值。

則T1由導(dǎo)通到截止時(shí)的v1 < T1由截止變?yōu)轱柡蛯?dǎo)通時(shí)的v1。


由此可以得到電壓傳輸特性:

施密特電路 觸發(fā)器

可以看到圖中有正向閾值電壓與負(fù)向閾值電壓。

集成電路可用ttl電路集成施密特觸發(fā)電路。


CMOS施密特觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)

下面的電路圖顯示了 CMOS 施密特觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)。CMOS 施密特觸發(fā)器由 6 個(gè)晶體管組成,包括 PMOS 和 NMOS 晶體管。

施密特電路 觸發(fā)器

施密特觸發(fā)器的用途

1、簡(jiǎn)單的振蕩器

2、開關(guān)去抖

其他用途

施密特觸發(fā)器主要用于將正弦波變?yōu)榉讲ā?/span>

用于消除數(shù)字電路中信號(hào)噪聲的信號(hào)調(diào)理等應(yīng)用。

用于閉環(huán)負(fù)響應(yīng)設(shè)計(jì)的張弛振蕩器。

用于開關(guān)電源以及函數(shù)發(fā)生器。


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