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?共射、共基放大電路頻率特性差異原因分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-24 

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共射、共基放大電路頻率特性差異原因分析-KIA MOS管


考慮到三極管的極間寄生電容和電阻,可將三極管的模型化作圖所示的電路。

共射 共基 放大電路 頻率

圖 考慮到寄生電容和電阻的三級管


共射放大電路上限頻率低的根本原因

共射 共基 放大電路 頻率

圖 考慮寄生效應(yīng)的共射放大電路


根據(jù)上圖所示,三極管的輸入電容 Ci 與基極寄生電阻 rb 形成低通濾波器,其中,輸入電容 Ci 是(1 + Av)倍的 Cbc 和 Cbe 之和。因此,在高頻范圍,共射放大電路的放大倍數(shù)必然下降。


也可以根據(jù)前文電路中采用的三極管的寄生參數(shù),簡單計算共射放大電路的上限截止頻率。例如,2N3904 的寄生電容為下圖所示。

共射 共基 放大電路 頻率

圖 2N3904 的寄生電容


再根據(jù)低通濾波器的截止頻率公式 fc = 1/(2πRC) ≈ 2.5MHz,其中,R 值在 2N3904 中并未找到,暫取 200 歐姆??梢钥闯?,粗略計算的結(jié)果與上述仿真的結(jié)果基本相符。


因此,共射極放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)下降,是由晶體管極間電容和分布電容導(dǎo)致的。

同樣,來分析一下共基放大電路上限截止頻率高的根本原因。


共基放大電路上限頻率高的根本原因

和共射放大電路一樣,仍可將三極管的模型化作圖所示的電路。

共射 共基 放大電路 頻率

圖 考慮寄生效應(yīng)的共基放大電路


理論上,三極管的輸入電容 Ci 與射級電阻 RE 形成低通濾波器,其中,輸入電容 Ci 是(Av – 1)倍的 Cce 和 Cbe 之和。


實際上,由于共基放大電路的輸入電阻極?。ú豢紤] RE 時,射級等效于交流接地),遠小于輸入電容 Ci 的交流阻抗。所以,在一定頻率內(nèi),即使三極管的輸入電容 Ci 與射級電阻 RE 形成低通濾波器,也不會對輸入信號產(chǎn)生影響。


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