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分享幾種實現(xiàn)開關(guān)電源電流檢測的方法-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-12 

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分享幾種實現(xiàn)開關(guān)電源電流檢測的方法-KIA MOS管


開關(guān)電源電流檢測可以使用MOSFET的導(dǎo)通電阻或者電感的等效電阻來實現(xiàn)電流檢測,這3種方法各有優(yōu)缺點。


電阻

開關(guān)電源 電流檢測

圖 感應(yīng)電阻用作電流檢測


優(yōu)點:采用電阻實現(xiàn)電流檢測時,要注意電阻的容差(1%或更低)和溫度系數(shù)(100ppm/°C),因為高精度的電阻可以提高開關(guān)電源電流檢測的精度和穩(wěn)定性,在多相電源時,還可以均衡各相電源的輸出。


缺點:電阻會引入功率損耗和物料成本,另外,電阻的寄生電感還會增加檢測電流的紋波,降低了電流檢測精度。

如下圖所示。

開關(guān)電源 電流檢測

圖 電阻的寄生電感影響電流檢測精度


因此,為了減少電阻的寄生電感,應(yīng)采用表貼式的薄膜金屬電感,例如0805,1206,2010,2512封裝的電阻。


MOSFET導(dǎo)通電阻

借助MOSFET的導(dǎo)通電阻作為感應(yīng)電阻是一種比較簡單和低成本的方法,LTC3878的電路即是采用這種方法,如圖所示。

開關(guān)電源 電流檢測

圖 BottomMOSFET的導(dǎo)通電阻用做電流檢測


當(dāng)BottomMOSFET導(dǎo)通時,檢測其導(dǎo)通電阻壓降,進(jìn)而檢測電感的谷值電流。


但是,這種方法具有以下缺點:

(1)MOSFET導(dǎo)通電阻的容差范圍比較大,多達(dá)33%;

(2)MOSFET導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較差,在100℃時,阻值可增加80%;

(3)因為MOSFET是分立器件(相較于集成在控制器內(nèi)部),所以,會引入寄生電感;

因此,這種方法并不適用于高輸出電流的場合,尤其是多相輸出的電源。


電感的等效電阻

借助電感的等效電阻作為感應(yīng)電阻也是一種簡單和低成本的方法,同時也提高了開關(guān)電源效率。相對于MOSFET的導(dǎo)通電阻,電感的等效電阻的容差較小,但是溫度系數(shù)仍然較差。具體檢測方法,是將RC網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)在電感兩端,并檢測電容兩端的壓差,如圖所示。

開關(guān)電源 電流檢測

圖 電感的等效電阻用作電流檢測


根據(jù)時間常數(shù)公式:

R1*C1=L/DCR

電容兩端電壓正比于電感電流。


為了降低檢測誤差和噪聲,電阻R的阻值應(yīng)較小。

由于該方法不直接測量電感電流,因此檢測不到電感電流飽和。所以,電感要有一個“軟飽和”,推薦使用鐵芯功率電感,這種電感通常比同類的鐵氧體電感具有更高的磁心損耗。與感應(yīng)電阻方法相比,電感DCR傳感消除了傳感電阻的功率損耗,但可能會增加電感磁芯損耗。


無論是采用感應(yīng)電阻還是電感等效電阻的方法,都要檢測溫度,即通過溫度補償?shù)姆椒ㄌ岣唠娏鳈z測精度。



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