PN結的擊穿特性、伏安特性及電容效應-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-21
直接上圖：
溫度升高時，伏安特性曲線正偏的左移，反偏的下移。
通過圖像我們還可以發(fā)現(xiàn)，正向電壓的壓降隨溫度上高而下降。
這里介紹的兩種擊穿都是因為反向電流“過大”而擊穿的，分別是“齊納擊穿”和“雪崩擊穿”。
1、齊納擊穿
首先，摻雜濃度較高，空間電荷區(qū)窄，外加的反向不大時，內電場的電壓顯著增強，太強的時候就會把共價鍵里的電子給“拽”出來，形成了大量的空穴對，導致“反向電流”急劇增大。
電流一大，會產生很多熱量，在那一瞬間，這個半導體就燒了，冒煙了。
2、雪崩擊穿
首先，摻雜濃度較低，空間電荷區(qū)寬，內電場也逐漸增大。路過電荷區(qū)的少子，會在電場的加速下獲得很大的動能，大到能把共價鍵里的電子給“撞”出來，新出來的載流子也被電場加速，再去“撞”其他的，這樣連鎖反應，載流子一下子變多了，反向電流也變大了。
電流一大，又一個半導體燒了。
因為電流大，半導體過熱燒毀的，造成永久性損壞的擊穿，我們又叫它“熱擊穿”。
我們下面介紹“勢壘電容”和“擴散電容”。
1、勢壘電容
前面我們介紹到PN結的導電性時說到了正偏和反偏。
正偏時，P、N區(qū)的多子流入內電場，有點像電容充電那感覺了；
反偏時，P、N區(qū)的多子從內電場離開，還像電容放點的樣子。
因此，我們把這種電容效應稱為“勢壘電容”。
2、擴散電容
PN結外加正向電壓時，N區(qū)的多子擴散到P區(qū)，因為存在距離，所以會形成濃度梯度，P區(qū)的多子擴散到N區(qū)也是如此，如果增大了正向電壓，那么多子擴散增加，依然會存在濃度梯度，同理，減小正向電壓也是一樣的原理。這種電容的積累與釋放也像電容充放電時電荷的運動，這種效應我們稱“擴散電容”。
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