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NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-05-22 

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NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文分享-KIA MOS管


負(fù)載開關(guān)是用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用,包括但不限于:


-配電

-上電時序控制和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換

-減小待機(jī)模式下的漏電流

-控制上電時間,減少浪涌電流

-控制下電時間,避免下電太慢導(dǎo)致其他問題

前面3條是負(fù)載開關(guān)的核心,后面兩條不是所有的負(fù)載開關(guān)都具有的。


典型的負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用如下。包括一個電源和多個需要不同負(fù)載電流的負(fù)載。系統(tǒng)必須通過多個電源開關(guān)獨立控制這些負(fù)載,包括打開時間、打開的速度等。該電源開關(guān)可以使用離散的MOSFET電路或集成的負(fù)載開關(guān)來實現(xiàn)。

NMOS 負(fù)載開關(guān)


下圖是一個簡單的NMOS負(fù)載開關(guān)電路,該電路對輸入電壓VIN的最大值有限制,VIN需要小于Vgate-VGS 。

NMOS 負(fù)載開關(guān)


為了解決VIN限制問題,可以在上述電路基礎(chǔ)上,增加一個電荷泵電路,使用電荷泵,可以實現(xiàn)NMOS的高VGS,并且使驅(qū)動電路的導(dǎo)通電阻降低。當(dāng)然與PMOS一樣,也會存在浪涌電流問題。如果需要減少浪涌電流,也還需要增加其他一些分立器件。

NMOS 負(fù)載開關(guān)



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