電路知識(shí)：非門(mén)多諧振蕩器電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-04-26
兩個(gè)非門(mén)組成的振蕩器
振蕩原理：
假設(shè)Q為低電平，則非門(mén)2的輸入端為高電平，經(jīng)過(guò)R對(duì)C充電，C的電壓上升，直到非門(mén)1輸入端的電壓達(dá)到反轉(zhuǎn)電壓，此時(shí)非門(mén)1的輸出變?yōu)榈碗娖?，Q變?yōu)楦唠娖健?/span>
此時(shí)，Q點(diǎn)、C、R、非門(mén)2的輸入端，極性反轉(zhuǎn)，相對(duì)于之前變?yōu)榉烹娀芈罚缓筠D(zhuǎn)為反向充電，C的電壓下降，直到非門(mén)1輸入的電壓達(dá)到反轉(zhuǎn)電壓，此時(shí)非門(mén)1的輸出變?yōu)楦唠娖?，Q變?yōu)榈碗娖健?/span>
如此循環(huán)，形成振蕩，在Q端輸出方波。
如果非門(mén)的反轉(zhuǎn)電壓為電源電壓的1/2。
則振蕩周期：T≈2.2·R·C
Rs用于穩(wěn)定振蕩頻率，驅(qū)使為6~10倍的R。
三個(gè)非門(mén)組成的振蕩器
原理和兩個(gè)非門(mén)的差不多，但是相比起兩個(gè)非門(mén)的振動(dòng)器更容易起振，工作更穩(wěn)定，還能獲得更高的振蕩頻率。
三個(gè)非門(mén)組成的可變占空比振蕩器
通過(guò)滑動(dòng)電位器RP使占空比可調(diào)。
充電回路（RP2+R）·C
放電回路（RP1+R）·C
另外，用施密特觸發(fā)器組成的多諧振蕩器比用一般門(mén)電路組成的，更簡(jiǎn)單，頻率更寬，受到電源電源和溫度的影響更小。
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