【圖文分享】MOSFET的截止頻率計(jì)算-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2023-04-07
MOSFET的截止頻率
定義
在MOS源極和漏極接交流地時(shí),器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為:“transit frequency”(fT)截止頻率
FT計(jì)算
MOS的小信號(hào)模型如下:
影響因素
根據(jù)式(8),可以知道
–增大Vgs可以增大FT
–減小溝道L會(huì)增大FT
進(jìn)一步說: 根據(jù)式(6)
–增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根)
–當(dāng)偏置電流恒定,減小溝道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]
注意
–FT不受S端和D端電容的影響。
–FT不受RG的影響,且仍等于上面(6)給出的值。
PS: 小尺寸MOS管FT筆記
FT隨過驅(qū)動(dòng)而增加,但隨著垂直電場(chǎng)減小了遷移率變平。下面繪制的是NMOS器件的fT,其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。