圖文詳解MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-04-07
關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間
柵極電壓ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開(kāi)關(guān)時(shí)間。開(kāi)關(guān)時(shí)間如表1所示種類，一般而言，規(guī)格書上記載td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
ROHM根據(jù)圖2電路的測(cè)定值決定規(guī)格書的typ.值。
溫度特性
實(shí)測(cè)例如圖3(1)~(4)所示。
溫度上升的同時(shí)開(kāi)關(guān)時(shí)間略微增加，但是100°C上升時(shí)增加10%成左右，幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)特性的溫度依存性。
圖3: 開(kāi)關(guān)溫度特性
關(guān)于MOSFET的VGS(th)(界限値)
關(guān)于MOSFET的VGS(th)
MOSFET開(kāi)啟時(shí)，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱為VGS(th)（界限值)。
即輸入界限值以上的電壓時(shí)MOSFET為開(kāi)啟狀態(tài)。
那么MOSFET在開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)能通過(guò)多少A電流？針對(duì)每個(gè)元件，在規(guī)格書的電氣特性欄里分別有記載。
表1為規(guī)格書的電氣特性欄示例。該情況下，輸入VDS=10V時(shí)，使1mA電流通過(guò)ID所需的柵極界限值電壓ID(th)為1.0V to 2.5V。
表1: 規(guī)格書的電氣特性欄
ID-VGS特性和溫度特性
ID-VGS特性和界限值溫度特性的實(shí)測(cè)例如圖1、2所示。
如圖1，為了通過(guò)絕大部分電流，需要比較大的柵極電壓。
表1所記載的機(jī)型，其規(guī)格書上的界限值為2.5V以下，但是為4V驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。
使用時(shí)請(qǐng)輸入使其充分開(kāi)啟的柵極電壓。
如圖2，界限值隨溫度而下降。
通過(guò)觀察界限值電壓變化，能夠計(jì)算元件的通道溫度。
圖1: ID-VGS特性圖2: 界限值溫度特性
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