MOSFET電路模型構(gòu)建圖文分享-KIA MOS管

MOSFET電路模型的構(gòu)建

MOSFET在不同應(yīng)用場(chǎng)合使用的電路模型是不同的，要搞懂MOSFET作為數(shù)字開(kāi)關(guān)和模擬放大中的左右，還是得從MOSFET的特性曲線入手。

對(duì)于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經(jīng)D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線有兩種情況：VGS-IDS和VDS-IDS。

前者稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，后者稱為輸出特性曲線。

轉(zhuǎn)移特性曲線

輸出特性曲線

這里重點(diǎn)關(guān)注輸出特性曲線，我們將前面一段上升區(qū)定義為電阻區(qū)，或者線性區(qū)，后面一段平行直線定義為電流源區(qū)或者飽和區(qū)。

如果我們把問(wèn)題簡(jiǎn)化，直接用兩條直線對(duì)器件進(jìn)行建模：

前一段，這個(gè)MOSFET就等效為一個(gè)電阻，后一段等效為一個(gè)壓控的電流源，壓控的電壓為Ugs，壓控能力是一個(gè)平方關(guān)系，具體可參考半導(dǎo)體器件相關(guān)書(shū)籍。如果開(kāi)啟的電壓Ugs沒(méi)有達(dá)到MOSFET的閾值電壓Ut的話，這個(gè)時(shí)候MOSFET相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)路。

總結(jié)：