【電路分享】PMOS管構(gòu)建電源延時(shí)供電電路-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-03-09
PMOS管構(gòu)建電源延時(shí)供電電路
圖1的延時(shí)時(shí)間通過C250,C251,R90來調(diào)整,VBUS斷開后利用C250,C251儲(chǔ)存的電壓,來給Q2的柵極提供高電平,使Q2暫時(shí)無法導(dǎo)通。隨著C250,C251的電壓逐漸降低,Q2的VGS滿足Q2導(dǎo)通,VCC4V0_D有電壓。D6用于防止C250上的電壓通過其他電路泄掉。
圖2的延時(shí)時(shí)間通過C252,C253,R83來調(diào)整。VBUS接通時(shí),由于電容C252,C253兩端的電平無法突變,所以上電瞬間Q11的基極電壓等于VBUS,而Q11的發(fā)射極被R106拉低,所以Q11導(dǎo)通,Q3的柵極等于VBUS -Q11的Vce≈4.7V。
從而使Q3無法導(dǎo)通。隨著C252,C253逐漸充電,Q11基極電壓會(huì)被逐漸拉低。當(dāng)充電至Q11無法導(dǎo)通時(shí),Q3.G被R106拉低,從而使Q3導(dǎo)通。D5用于VBUS下電時(shí)快速泄掉C252,C253的殘壓,如果不快速泄掉,會(huì)影響第二次的USB識(shí)別。
另外Q2,Q3需要用VTH較大的管子,選用的是AO3407A。之前用的是AO3415A,VTH較小,導(dǎo)致延時(shí)時(shí)間很小。
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