【電路設(shè)計】BUCK-BOOST電路負壓生成-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-02-28
DCDC電路中的BUCK-BOOST電路，在一些OLED驅(qū)動芯片中，其往往會被運用到。
對于DCDC電路，BUCK電路、BOOST電路。其主要起到了降壓與升壓的電路。下文這種電路，可以說是其二者的結(jié)合，既能實現(xiàn)升壓，也能實現(xiàn)降壓。
圖為最簡單的BUCK-BOOST電路。主要用到了電源V1 MOS管 肖特基二極管 電容 負載電阻 以及PWM控制器。其與BUCK電路BOOST電路采用的器件幾乎一模一樣。
MOS管選擇的是PMOS管，其柵極由PWM進行控制。只要滿足Vgs<Vgs(th)即可實現(xiàn)MOS管的導通。
MOS管相當于開關(guān)的作用，控制所在支路的斷開與閉合。
當柵極為高電平時，Vgs>Vgs(th)，此時MOS管斷開，其所在的支路不導通。
當柵極為低電平時，Vgs<Vgs(th)，此時MOS管閉合，在不考慮壓降的情況下，其相當于導線的作用。
所以，此電路分兩種情況進行討論。
（1） 當MOS管導通時，電流流向：V1正極→C1→V1負極 C1正極→Q1MOS管→L1電感→C1負極。此時電感將電能轉(zhuǎn)換為磁能進行儲能，流過其兩端的電流逐漸增大，由于電感具有阻礙電流變化的特性，所以對于其極性而言，表現(xiàn)為上正下負。同時C2電容放電，給負載進行供電。
（2） 當MOS管斷開時，電感的磁能轉(zhuǎn)換為電能，因為流向其兩端的電流逐漸變小，且其具有阻礙電流變化的特性，所以對于其極性而言，表現(xiàn)為下正上負。電流流向：V1正極→C1→V1負極 L1下端→C2&負載電阻→肖特基二極管→L1上端。電容C2被充電。
根據(jù)電感的秒伏定律：
VinTon=-VoutToff
VinDT=-Vout(1-D)T
Vout=-Vin*D/(1-D)
當占空比小于50%時，輸出為降壓。
當占空比大于50%時，輸出為升壓。
常規(guī)的BUCK-BOOST電壓，輸出與輸入極性相反，輸出表現(xiàn)為負壓。
電路特征
輸出電壓可大于/等于/小于輸入電壓
輸入/輸出電流斷續(xù)
輸出電壓是負壓
MOS管、二極管端壓為(VIN+VOUT)，對器件耐壓要求較高。
雖說，BUCK-BOOST電路既能實現(xiàn)升壓，也能實現(xiàn)降壓，然而就效率而言，其還是要低于單純的BUCK電路或者BOOST電路，所以在使用時，還是需注意余量。
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