半導(dǎo)體器件：電力晶體管是什么？特點原理分析-KIA MOS管

電力晶體管

電力晶體管按英文Giant Transistor——GTR，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT；但其驅(qū)動電路復(fù)雜，驅(qū)動功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

GTR是一種電流控制的雙極雙結(jié)大功率、高反壓電力電子器件，具有自關(guān)斷能力,產(chǎn)生于上個世紀70年代，其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。

它既具備晶體管飽和壓降低、開關(guān)時間短和安全工作區(qū)寬等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時間短，在電源、電機控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛。

GTR的缺點是驅(qū)動電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關(guān)電源和UPS內(nèi)，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符號,和普通的NPN晶體管一樣。

電力晶體管結(jié)構(gòu)

電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR又稱BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT這兩個名稱是等效的，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常相似。

GTR由三層半導(dǎo)體、兩個PN結(jié)組成。和小功率三極管一樣，有PNP和NPN兩種類型，GTR通常多用NPN結(jié)構(gòu)。

工作原理

在電力電子技術(shù)中，GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。GTR通常工作在正偏(Ib>0)時大電流導(dǎo)通；反偏(Ib<0=時處于截止狀態(tài)。因此，給GTR的基極施加幅度足夠大的脈沖驅(qū)動信號，它將工作于導(dǎo)通和截止的開關(guān)狀態(tài)。

特點

1.輸出電壓

可以采用脈寬調(diào)制方式，故輸出電壓為幅值等于直流電壓的強脈沖序列。

2.載波頻率

由于電力晶體管的開通和關(guān)斷時間較長，故允許的載波頻率較低，大部分變頻器的上限載波頻率約為1.2～1.5kHz左右。

3.電流波形

因為載波頻率較低，故電流的高次諧波成分較大。這些高次諧波電流將在硅鋼片中形成渦流，并使硅鋼片相互間因產(chǎn)生電磁力而振動，并產(chǎn)生噪音。又因為載波頻率處于人耳對聲音較為敏感的區(qū)域，故電動機的電磁噪音較強。

4.輸出轉(zhuǎn)矩

因為電流中高次諧波的成分較大，故在50Hz時，電動機軸上的輸出轉(zhuǎn)矩與工頻運行時相比，略有減小。

基本特性

(1)靜態(tài)特性

共發(fā)射極接法時可分為三個工作區(qū)：

① 截止區(qū)。在截止區(qū)內(nèi)，iB≤0，uBE≤0，uBC<0，集電極只有漏電流流過。

② 放大區(qū)。iB >0，uBE>0，uBC<0，iC =βiB。

③ 飽和區(qū)。iB >Ics/β，uBE>0，uBC>0，iCS是集電極飽和電流，其值由外電路決定。

結(jié)論：兩個PN結(jié)都為正向偏置是飽和的特征。飽和時，集電極、發(fā)射極間的管壓降uCE很小，相當于開關(guān)接通，這時盡管電流很大，但損耗并不大。

GTR剛進入飽和時為臨界飽和，如iB繼續(xù)增加，則為過飽和，用作開關(guān)時，應(yīng)工作在深度飽和狀態(tài)，這有利于降低uCE和減小導(dǎo)通時的損耗。

(2)動態(tài)特性

GTR共發(fā)射極接法的輸出特性

圖1GTR開關(guān)特性

GTR在關(guān)斷時漏電流很小，導(dǎo)通時飽和壓降很小。因此，GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)下?lián)p耗都很小，但在關(guān)斷和導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換過程中，電流和電壓都較大，所以開關(guān)過程中損耗也較大。

當開關(guān)頻率較高時，開關(guān)損耗是總損耗的主要部分。因此，縮短開通和關(guān)斷時間對降低損耗、提高效率和提高運行可靠性很有意義。

主要參數(shù)

(1)最高工作電壓

(2)集電極最大允許電流ICM

(3)集電極最大允許耗散功率PCM

(4)最高工作結(jié)溫TJM

二次擊穿和安全工作區(qū)

(1)二次擊穿

二次擊穿是影響GTR安全可靠工作的一個重要因素。當GTR的集電極電壓升高至擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿。

出現(xiàn)一次擊穿后，只要Ic不超過與最大運行耗散功率相對應(yīng)的限度，GTR一般不會損壞，工作特性也不會有什么變化。

但是實際應(yīng)用中常常發(fā)現(xiàn)一次擊穿發(fā)生時如不有效地限制電流，Ic增大到某個臨界點時會突然急劇上升，同時伴隨著電壓的突然下降，這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。

防止二次擊穿的辦法是：①應(yīng)使實際使用的工作電壓比反向擊穿電壓低得多。②必須有電壓電流緩沖保護措施。

(2)安全工作區(qū)

圖2 GTR安全工作區(qū)

以直流極限參數(shù)ICM、PCM、UCEM構(gòu)成的工作區(qū)為一次擊穿工作區(qū)，以USB (二次擊穿電壓)與ISB (二次擊穿電流)組成的PSB (二次擊穿功率)是一個不等功率曲線。

為了防止二次擊穿，要選用足夠大功率的GTR，實際使用的最高電壓通常比GTR的極限電壓低很多。

圖3 GTR基極驅(qū)動電流波形

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