什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器|詳解-KIA MOS管

MOSFET驅(qū)動(dòng)器

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。

強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器（MOSFET drive）

特點(diǎn)：

欠壓閉鎖功能

自適應(yīng)貫通保護(hù)功能

自舉電源電壓至 114V

1.4A 峰值頂端柵極上拉電流

1.75A 峰值底端柵極上拉電流

耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝

寬 VCC 電壓：4.5V 至 13.5V

1.5Ω 頂端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

0.75Ω 底端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

5ns 頂端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

8ns 頂端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

3ns 底端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

6ns 底端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET

應(yīng)用：

分布式電源架構(gòu)

汽車電源

高密度

電信系統(tǒng)

為什么需要用到MOSFET驅(qū)動(dòng)器？

要驅(qū)動(dòng)大容量MOSFET需要提供短時(shí)瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)，輸出電流不夠，輸出電壓也沒有這么高，所以需要驅(qū)動(dòng)器。

有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅(qū)動(dòng)器，可以直接驅(qū)動(dòng)小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流，是因?yàn)闇系篱_通后，不需要像BJT那樣必須維持一個(gè)基極電流Ib，但在溝道從關(guān)閉到到開通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。

MOSFET廠家簡(jiǎn)介

MOSFET驅(qū)動(dòng)器

KIA半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠家（國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場(chǎng)，研發(fā)為先導(dǎo)，了解客戶需求，運(yùn)用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計(jì)方案和國(guó)際同步研發(fā)技術(shù)，

結(jié)合中國(guó)市場(chǎng)的特點(diǎn)，向市場(chǎng)推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩(wěn)定性，高性價(jià)比，良好的服務(wù)，以及和客戶充分的技術(shù)，市場(chǎng)溝通的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度，在移動(dòng)數(shù)碼，LCE,HID,LED,電動(dòng)車，開關(guān)電源，逆變器，節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認(rèn)可。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器