高邊驅動電路比低邊驅動電路復雜一些，一個原因是它通常使用n溝道MOSFET作為功...高邊驅動電路比低邊驅動電路復雜一些，一個原因是它通常使用n溝道MOSFET作為功率元件。因為在相同的性能條件下，NMOSFET比PMOSFET的制造工藝簡單，更加容易實現，...
高邊驅動是指通過直接在用電器或者驅動裝置前通過在電源線閉合開關來實現驅動裝...高邊驅動是指通過直接在用電器或者驅動裝置前通過在電源線閉合開關來實現驅動裝置的使能。高邊驅動形象點說，像在電路的電源端加了一個可控開關。高邊驅動就是控制...
MOSFET的閾值電壓： 對于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），其閾值電壓...MOSFET的閾值電壓： 對于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），其閾值電壓可以通過以下公式計算： Vth = Vt0 + γ(√|2φF + Vsb| - √|2φF|)
襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅...襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值電壓。
USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點...USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優(yōu)點是成本最低，缺點是，沒有鋰電池充電控制邏輯，和鋰電池指示燈。
