上圖中即為一個(gè)簡(jiǎn)單的LED恒流電源電路,采用阻容降壓方案來(lái)實(shí)現(xiàn),輸出電流的大...上圖中即為一個(gè)簡(jiǎn)單的LED恒流電源電路,采用阻容降壓方案來(lái)實(shí)現(xiàn),輸出電流的大小只取決于電容C1的容值,根據(jù)電容對(duì)交流電流的容抗來(lái)達(dá)到輸出恒定電流的目的,而輸...
電路的工作是基于在交流電路中,電容存在容抗XC也有”鎮(zhèn)流作用”的原理。另外電...電路的工作是基于在交流電路中,電容存在容抗XC也有”鎮(zhèn)流作用”的原理。另外電容消耗無(wú)功功率,不發(fā)熱;而電阻則消耗有功功率,會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉,所以鎮(zhèn)流電容...
(1)反激式:適當(dāng)增大一次繞組的電感量,適當(dāng)增大一次側(cè)電感量可以提高效率,因...(1)反激式:適當(dāng)增大一次繞組的電感量,適當(dāng)增大一次側(cè)電感量可以提高效率,因?yàn)樵黾右淮蝹?cè)電感量,能提高效率,減小有效值,正激式的可以適當(dāng)增大電感的電感量。...
當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些...當(dāng)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度小到可以和漏結(jié)及源結(jié)的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì)出現(xiàn)一些不同于長(zhǎng)溝道MOS管特性的現(xiàn)象,統(tǒng)稱(chēng)為短溝道效應(yīng),它們歸因于在溝道區(qū)出現(xiàn)二維的電勢(shì)...
當(dāng)漏源電壓(Vds)增大,導(dǎo)致實(shí)際的反型層溝道長(zhǎng)度逐漸減小,這一現(xiàn)象被稱(chēng)為溝...當(dāng)漏源電壓(Vds)增大,導(dǎo)致實(shí)際的反型層溝道長(zhǎng)度逐漸減小,這一現(xiàn)象被稱(chēng)為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)MOS晶體管中的柵下溝道預(yù)夾斷后,若繼續(xù)增大Vds,夾斷...