利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動(dòng)管N4的柵極（B點(diǎn)）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則...利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動(dòng)管N4的柵極（B點(diǎn)）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)輸出高電平達(dá)到VDD。而...
由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻...由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻R2和電容C3在上述電路中起著重要作用，因?yàn)樗淖兞溯敵鲋蝎@得的輸出增益。增加一個(gè)...
增強(qiáng)型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當(dāng)柵源之間不加電壓時(shí)，漏源...增強(qiáng)型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當(dāng)柵源之間不加電壓時(shí)，漏源之間的PN結(jié)是反向的，因此不存在導(dǎo)電溝道，即使漏源之間加了電壓，也不會(huì)有電流通過(guò)...
導(dǎo)通狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導(dǎo)通。 耗盡型MOS管：在零門(mén)...導(dǎo)通狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導(dǎo)通。 耗盡型MOS管：在零門(mén)源電壓下即可導(dǎo)通。 關(guān)斷狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：在關(guān)斷狀態(tài)下無(wú)載流子通道。 耗盡型...
OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與...OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與R4（4.7kΩ）電阻決定放大器閉環(huán)增益，R4電阻越小增益越大，但增益太大也容易導(dǎo)致信...
