從上圖可以看到,尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到,尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路,這里有一個規(guī)律,就是在開關(guān)管開/關(guān)的時候,跟電感形成一個回路。
首先來看看MOS應(yīng)力公式:(理想化處理,不影響結(jié)論) Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應(yīng)力公式:(理想化處理,不影響結(jié)論) Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5 這里兩個主要參數(shù)的意義: 1、Lk是變壓器漏感(實際還...
SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種,其一為由英飛凌(Infineon)開發(fā)的多磊晶技術(shù),藉...SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種,其一為由英飛凌(Infineon)開發(fā)的多磊晶技術(shù),藉由摻雜(doping)磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域,使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜(...
很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候,可能會顧名思義地認為,平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候,可能會顧名思義地認為,平面型IGBT的電流就是水平流動的,而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動的。其實這是一個誤解,...
測量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候,通常要去除示波器探頭...測量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候,通常要去除示波器探頭的帽子,直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端,減小地線的環(huán)路,從而減...