由變換器預定技術(shù)指標可知變壓器初級側(cè)電壓Vdcmin= 240 V, Vdcmax= 380 V, 預設(shè)...由變換器預定技術(shù)指標可知變壓器初級側(cè)電壓Vdcmin= 240 V, Vdcmax= 380 V, 預設(shè)效率η= 85%, 工作頻率f = 65 kHz, 電源輸出功率P out= 25 W。
MOS管隔離驅(qū)動電路，如果驅(qū)動高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的...MOS管隔離驅(qū)動電路，如果驅(qū)動高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個解決方案都有自己的優(yōu)點和缺點，適合不同的應用。集成高邊驅(qū)動器方...
芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（integrat...芯片，又稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（integrated circuit， IC），是指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設(shè)備...
如果電源的正極接P區(qū)，負極接N區(qū)，外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處...如果電源的正極接P區(qū)，負極接N區(qū)，外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區(qū)變...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變...功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。
