圖1為所測(cè)的15kW開關(guān)電源的傳導(dǎo)騷擾值，由圖中可以看出在0、15～15MHz大范圍超...圖1為所測(cè)的15kW開關(guān)電源的傳導(dǎo)騷擾值，由圖中可以看出在0、15～15MHz大范圍超差。這是因?yàn)殚_關(guān)電源所產(chǎn)生的干擾噪聲所為。開關(guān)電源所產(chǎn)生的干擾噪聲分為差模噪聲...
通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不...通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在...
閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低...閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會(huì)由于過大的電流水平而導(dǎo)致系統(tǒng)紊流或?yàn)?zāi)難性損壞。本文介紹閂鎖效應(yīng)產(chǎn)...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極...IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有功...
下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個(gè)MOS管組合控制電路，由一個(gè)增強(qiáng)型...下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個(gè)MOS管組合控制電路，由一個(gè)增強(qiáng)型NMOS管和一個(gè)增強(qiáng)型PMOS管組成，IO_CON是接到單片機(jī)(單片機(jī)供電3.3V)的IO口上，單片...
