此問題一般情況是在硬開關(guān)，因有米勒效應(yīng)，彌勒效應(yīng)時可確定開關(guān)是硬開關(guān)，看上...此問題一般情況是在硬開關(guān)，因有米勒效應(yīng)，彌勒效應(yīng)時可確定開關(guān)是硬開關(guān)，看上圖MOS管驅(qū)動問題嚴(yán)重。當(dāng)驅(qū)動電壓到米勒平臺，理想是保持不變，但是如上第二個圖有...
PFC(功率因數(shù)校正)主要是對輸入電流波形進(jìn)行控制，使其同步輸入電壓波形。功率...PFC(功率因數(shù)校正)主要是對輸入電流波形進(jìn)行控制，使其同步輸入電壓波形。功率因數(shù)是指有功功率與視在功率的比值。功率因素可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率...
?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越...?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS（on）低柵極充電。這款產(chǎn)品適合用作負(fù)載開關(guān)或在脈寬調(diào)制應(yīng)用中使用。是一款標(biāo)...
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））...（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b）） （2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴(kuò)展，但其在SJ-MOS中的擴(kuò)展方式與在一般D-MOS中...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
