場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然...場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然MOSFET和BJT都是晶體管，但它們的工作方式不同，表現(xiàn)出不同的行為，因此它們的使用方...
MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID...MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID)、柵源電壓 (VGS) 以及柵極、源極和漏極的位置通過字母“G”、“S”和“ D”。
共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí)，o/p電壓可...共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí)，o/p電壓可以通過漏極內(nèi)負(fù)載處的電阻器放大和獲得。在此配置中，源端子充當(dāng)i/p和o/p之間的公共...
因?yàn)榉糯笃饔休斎牒洼敵鰞蓚€(gè)端口，會(huì)占用MOSFET其中兩個(gè)極，剩下那個(gè)極接地或電...因?yàn)榉糯笃饔休斎牒洼敵鰞蓚€(gè)端口，會(huì)占用MOSFET其中兩個(gè)極，剩下那個(gè)極接地或電源，作為參考電極。
共柵級(jí)的柵極電壓為 V b ，是固定電位。在源級(jí)輸入電壓發(fā)生變化時(shí)，直接改變了...共柵級(jí)的柵極電壓為 V b ，是固定電位。在源級(jí)輸入電壓發(fā)生變化時(shí)，直接改變了共柵管的過驅(qū)動(dòng)電壓，產(chǎn)生了對(duì)應(yīng)的漏電流，可以看到共柵級(jí)的放大能力是源于共柵管的...
