芯片內(nèi)部的電路通常都是直接耦合的，它能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)靜態(tài)工作點(diǎn)，但是，如果某個(gè)...芯片內(nèi)部的電路通常都是直接耦合的，它能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)靜態(tài)工作點(diǎn)，但是，如果某個(gè)輸入引腳被直接接到了電源或者地，它的自動(dòng)調(diào)節(jié)功能就不正常了，因?yàn)樾酒瑑?nèi)部的晶體...
T1：第一個(gè)管子作用與其他管子都不同，電源僅連到管子基極，這個(gè)三極管可以簡單...T1：第一個(gè)管子作用與其他管子都不同，電源僅連到管子基極，這個(gè)三極管可以簡單看成是兩個(gè)并聯(lián)的二極管。而且因?yàn)樽笥沂遣⒙?lián)關(guān)系，兩邊電壓會(huì)相互牽制。
MOS管柵級(jí)一定不能懸空，MOS管每一級(jí)之間都會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電容，G同S極D極可看成絕...MOS管柵級(jí)一定不能懸空，MOS管每一級(jí)之間都會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電容，G同S極D極可看成絕緣的，G極懸空后，感應(yīng)電壓沒有釋放回路，從而控制mos管導(dǎo)通。MOS管前端電壓不受控制...
當(dāng)左端VCC上電時(shí)，由于C1通過R1充電（電容兩端電壓不能突變），導(dǎo)致R1兩端電壓...當(dāng)左端VCC上電時(shí)，由于C1通過R1充電（電容兩端電壓不能突變），導(dǎo)致R1兩端電壓為高電平，此時(shí)MOS管閾值電壓尚未達(dá)到，所以MOS管為關(guān)閉狀態(tài)。
如下圖所示，輸入電壓加于RC串聯(lián)電路兩端，輸出電壓取自于電阻R或電容C。由于電...如下圖所示，輸入電壓加于RC串聯(lián)電路兩端，輸出電壓取自于電阻R或電容C。由于電容的特殊性質(zhì)，對(duì)下圖(a)和(b)不同的輸出電壓取法，呈現(xiàn)出不同的頻率特性。
