在0～t1期間，VT1、VT4的基極控制脈沖都為高電平，VT1、VT4都導(dǎo)通，A點(diǎn)通過VT1...在0～t1期間，VT1、VT4的基極控制脈沖都為高電平，VT1、VT4都導(dǎo)通，A點(diǎn)通過VT1與Ud正端連接，B點(diǎn)通過VT4與Ud負(fù)端連接，故R、L兩端的電壓Uo大小與Ud相等，極性為左...
本設(shè)計(jì)電路中，D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見的Boost升壓電路，會(huì)在芯片8腳（...本設(shè)計(jì)電路中，D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見的Boost升壓電路，會(huì)在芯片8腳（也就是VB腳）上產(chǎn)生一個(gè)較高的電壓，從而成功驅(qū)動(dòng)MOS管開閉。C5升壓就需要IR2101先...
無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路如圖1 所示。該電路采用三相六臂全橋驅(qū)動(dòng)方式，采用此...無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路如圖1 所示。該電路采用三相六臂全橋驅(qū)動(dòng)方式，采用此方式可以減少電流波動(dòng)和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)，使得電機(jī)輸出較大的轉(zhuǎn)矩。
單MOS管驅(qū)動(dòng)電路，采用P75NF75為主構(gòu)成。單MOS管驅(qū)動(dòng)電路，采用P75NF75為主構(gòu)成。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電...電機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜?H，故得名曰“H 橋”。4個(gè)開關(guān)組成 H 的 4 條垂直腿...
