KNX2908A 85V130A-產(chǎn)品特性 1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，Typ.=5.0mΩ@VGS...KNX2908A 85V130A-產(chǎn)品特性 1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，Typ.=5.0mΩ@VGS=10V 3、低門電荷減小開關(guān)損耗 4、快速恢復(fù)體二極管
MOS管門電路：用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門MOS管門電路：用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門
P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況...P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高，有較...
SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更...SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密...
中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電...中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電路的放大倍數(shù)很大，即使選擇L很小依然滿足放大要求。而且這樣一來可以盡可能的減小...
