所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過(guò)之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過(guò)之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RDS(ON)來(lái)表示，傳導(dǎo)損耗一般來(lái)說(shuō)和MOS的大小成反比，體積越大，其導(dǎo)通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開(kāi)通過(guò)程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開(kāi)通過(guò)程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過(guò)米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流，從而在門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和寄生...
通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減...通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電壓尖峰。
圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來(lái)的誤開(kāi)通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應(yīng)帶來(lái)的誤開(kāi)通。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷而對(duì)管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓快速的上升產(chǎn)生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產(chǎn)生位移電流( igd)。
當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開(kāi)...當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開(kāi)關(guān)速度越快，偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關(guān)斷損耗測(cè)量原理圖，由此可見(jiàn)，只有...
