PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng)，但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患，并且PMO...PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng)，但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患，并且PMOS價格偏高，幾乎沒有使用驅(qū)動IC+PMOS高邊防反這種設(shè)計，所以為了均衡價格因素和Rdso...
高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 e...高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 epi 層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚，耐壓的額定值...
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承...
boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當 mosfet 開啟時，二極管中...boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當 mosfet 開啟時，二極管中的電流為 0，電感電流線性增大；當 mosfet 關(guān)斷時，二極管與電感串聯(lián)，二者電流相等...
輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就...輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就到了運入的輸出端，造成了運放的輸入誤差。
