KIA3510AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9mΩ...KIA3510AP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 9mΩ，最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗，提高效率；100%單脈沖雪崩能量測(cè)試，高效穩(wěn)定可靠；符合...
Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽(yáng)極壓降降低、電流增大→光...Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽(yáng)極壓降降低、電流增大→光耦初級(jí)電流增大→光耦次級(jí)電流增大→FB腳電壓升高→電源管理芯片降低MOS管的占空比...
由兩個(gè)555構(gòu)成兩個(gè)時(shí)鐘電路，由模十六計(jì)數(shù)器和組合邏輯門(mén)構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，...由兩個(gè)555構(gòu)成兩個(gè)時(shí)鐘電路，由模十六計(jì)數(shù)器和組合邏輯門(mén)構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，由雙D觸發(fā)器和數(shù)據(jù)選擇器構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路，由移位寄存器和八個(gè)彩燈構(gòu)成輸出電路，一個(gè)時(shí)...
KPE4403B P溝道場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩(wěn)定可靠...
N溝道MOS管是以一個(gè)摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個(gè)摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩個(gè)高濃度的N +區(qū)作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
